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（軍聞社記者李一豪臺北30日電）國家中山科學研究院今日舉行「軍民通用高功率元件應用研發聯盟簽約儀式及技術研討會」活動，透過學術研討與分享，並簽署合作備忘錄，深化技術交流，期能精進研發能量，促進國防科技發展，帶動產業繁榮。

活動上午在臺灣大學集思會議中心舉行，邀集國內外產、官、學、研各界，針對半導體長晶及磊晶、元件設計與製程、模組封裝、產品應用，以及高功率研製技術等領域，進行深入研討。

中科院指出，該院偕同交大等單位組成研發團隊，自104年起承接科技部與國防部專案，投入碳化矽長晶、氮化鎵磊晶、功率元件設計、製程與封裝，以及控制電路等技術研發能力，建構以WBG技術於「高功率元件應用」的新興產業體系。

有關研發進度，中科院目前正進行高阻值碳化矽晶圓、高導熱之氮化鋁基板、高頻功率放大器、氮化鎵功率電晶體及多項功率轉換模組等關鍵材料與技術研發，並以高效率綠能功率模組、電動（機）車功率模組與國防用功率模組等場域進行驗證。

中科院表示，此次成立國內上下游業者間的研發聯盟，逐步形成互相分享創新技術、產業發展、創意發想、策略研討等資訊交流平臺，透過整合相關資源，加速材料、元件、模組及系統之間的溝通與驗證，提供最終系統商使用國內自製產品，可望加速國內產業供應鏈成形，建構符合國家未來發展需要之產、官、學、研環境，共同開拓市場新商機。

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